Deep centers in semiconductors: a state of the art approach

ed. by Sokrates T. Pantelides

New York [u.a.]: Gordon and Breach, 1986

Sammelwerk, Gedruckte Ressource - XI, 777 S.

Titel:	Deep centers in semiconductors: a state of the art approach
Verantwortlichkeitsangabe:	ed. by Sokrates T. Pantelides
Autor/in / Beteiligte Person:	Pantelides, Sokrates (ca. 20./21. Jh)
Veröffentlichung:	New York [u.a.]: Gordon and Breach, 1986
Medientyp:	Sammelwerk
Datenträgertyp:	Gedruckte Ressource
Umfang:	XI, 777 S.
ISBN:	2881241093
Schlagwort:	Halbleiter Tiefe Störstelle Verunreinigung
Sonstiges:	Lokale Notationen: UIL Fächer: Physik RVK: UP 3100 Halbleitermaterialien, Allgemeines hbz Verbund-ID: HT002619050

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