Ion implantation in semiconductors: silicon and germanium

James W. Mayer, Lennart Eriksson and John A. Davies

New York [u.a.]: Academic Press, 1970

Monographie, Gedruckte Ressource - XIII, 280 S. : Ill., graph. Darst.

Titel:	Ion implantation in semiconductors: silicon and germanium
Verantwortlichkeitsangabe:	James W. Mayer, Lennart Eriksson and John A. Davies
Autor/in / Beteiligte Person:	Mayer, James W. (1930-2013) ; Eriksson, Lennart ; Davies, John A.
Veröffentlichung:	New York [u.a.]: Academic Press, 1970
Medientyp:	Monographie
Datenträgertyp:	Gedruckte Ressource
Umfang:	XIII, 280 S. : Ill., graph. Darst.
Sonstiges:	Lokale Notationen: YET Fächer: Elektrotechnik hbz Verbund-ID: HT004661363

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