Gas source molecular beam epitaxy: growth and properties of phosphorus containing III - V heterostructures

M. B. Panish ; H. Temkin

Berlin [u.a.]: Springer, 1993

Monographie, Gedruckte Ressource - XIV, 428 S. : Ill., graph. Darst.

Titel:	Gas source molecular beam epitaxy: growth and properties of phosphorus containing III - V heterostructures
Verantwortlichkeitsangabe:	M. B. Panish ; H. Temkin
Autor/in / Beteiligte Person:	Panish, Morton B. ; Temkin, Henryk
Verwandtes Werk:	Springer series in materials science — Weitere Bände
Veröffentlichung:	Berlin [u.a.]: Springer, 1993
Medientyp:	Monographie
Datenträgertyp:	Gedruckte Ressource
Umfang:	XIV, 428 S. : Ill., graph. Darst.
ISBN:	354056540X (Berlin ...) : DM 98.00; 038756540X (New York ...)
Schlagwort:	Drei-Fünf-Halbleiter Heterostruktur Molekularstrahlepitaxie
Sonstiges:	Gesamttitelangabe: Springer series in materials science ; 26 Lokale Notationen: XWT; XWR Fächer: Elektrotechnik hbz Verbund-ID: HT005041523

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