MOSFET models for VLSI circuit simulation: theory and practice

N. Arora

Wien [u.a.]: Springer, 1993

Monographie, Gedruckte Ressource - XXI, 605 S. : 270 graph. Darst.

Titel:	MOSFET models for VLSI circuit simulation: theory and practice
Verantwortlichkeitsangabe:	N. Arora
Autor/in / Beteiligte Person:	Arora, Narain
Link:	Inhaltsverzeichnis
Verwandtes Werk:	Computational microelectronics
Veröffentlichung:	Wien [u.a.]: Springer, 1993
Medientyp:	Monographie
Datenträgertyp:	Gedruckte Ressource
Umfang:	XXI, 605 S. : 270 graph. Darst.
ISBN:	3211823956; 0387823956
Schlagwort:	VLSI Schaltungsentwurf Simulation MOS-FET
Sonstiges:	Gesamttitelangabe: Computational microelectronics Lokale Notationen: YEP; YEF Fächer: Elektrotechnik RVK: ST 190 Schaltungskreistechnik (techn.-physik.), Integrierte Schaltung, spez. Schaltkreise, VLSI, TTL, ECL etc.; ZN 4870 Feldeffekt-Bauelemente allgemein; Feldeffekt-Transistoren hbz Verbund-ID: HT006164912

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