Zum Hauptinhalt springen

Defect and impurity engineered semiconductors and devices: symposium held April 17 - 21, 1995, San Francisco, California, U.S.A

MRS, Materials Research Society. Eds.: S. Ashok ..
Pittsburgh, Pa.: MRS, 1995
Konferenzschrift, Sammelwerk, Gedruckte Ressource - XXI, 1054 S. : Ill., graph. Darst.

Ermittle Ausleihstatus...

Titel:
Defect and impurity engineered semiconductors and devices: symposium held April 17 - 21, 1995, San Francisco, California, U.S.A
Verantwortlichkeitsangabe: MRS, Materials Research Society. Eds.: S. Ashok ..
Autor/in / Beteiligte Person: Ashok, S.
Körperschaft: Materials Research Society
Link:
Verwandtes Werk:
Veröffentlichung: Pittsburgh, Pa.: MRS, 1995
Medientyp: Konferenzschrift, Sammelwerk
Datenträgertyp: Gedruckte Ressource
Umfang: XXI, 1054 S. : Ill., graph. Darst.
ISBN: 1558992812
Schlagwort:
  • Halbleiter
  • Gitterbaufehler
Sonstiges:
  • Gesamttitelangabe: Materials Research Society symposium proceedings ; 378
  • Forts. u.d.T.: Defect and impurity engineered semiconductors
  • Konferenzschrift: San Francisco, Calif., 1995
  • Lokale Notationen: YEN; XWT
  • Fächer: Elektrotechnik
  • RVK: UD 8400 Materials Research Society Symposium Proceedings
  • hbz Verbund-ID: HT006808593

Klicken Sie ein Format an und speichern Sie dann die Daten oder geben Sie eine Empfänger-Adresse ein und lassen Sie sich per Email zusenden.

oder
oder

Wählen Sie das für Sie passende Zitationsformat und kopieren Sie es dann in die Zwischenablage, lassen es sich per Mail zusenden oder speichern es als PDF-Datei.

oder
oder

Bitte prüfen Sie, ob die Zitation formal korrekt ist, bevor Sie sie in einer Arbeit verwenden. Benutzen Sie gegebenenfalls den "Exportieren"-Dialog, wenn Sie ein Literaturverwaltungsprogramm verwenden und die Zitat-Angaben selbst formatieren wollen.

xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -